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模拟电子技术基础问题
模拟电子技术以晶体管、场效应管等电子器件为基础，以单元电路、集成电路的分析和设计为主导，研究各种不同电路的结构、工作原理、参数分析及应用。下面是小编为大家收集整理的模拟电子技术基础问题，欢迎阅读。
模拟电子技术基础问题1
1、空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？
答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。
2、制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂？
答：按百万分之一数量级的比例掺入。
3、什么是N型半导体？什么是P型半导体？当两种半导体制作在一起时会产生什么现象？
答：多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。P型半导体与N型半导体接合后 便会形成P-N结。
4、PN结最主要的物理特性是什么？
答：单向导电能力和较为敏感的温度特性。
5、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点？
答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出;但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。
6、什么是本征半导体和杂质半导体？
答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。
7、PN结还有那些名称？
答：空间电荷区、阻挡层、耗尽层等。
8、PN结上所加端电压与电流是线性的吗？它为什么具有单向导电性？
答：不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚，电流几乎完全为零，宏观上呈现截止状态。这就是PN结的单向导电特性。
9、在PN结加反向电压时果真没有电流吗？
答：并不是完全没有电流，少数载流子在反向电压的作用下产生极小的反向漏电流。
10、二极管最基本的技术参数是什么？
答：最大整流电流
11、二极管主要用途有哪些？
答：整流、检波、稳压等。
12、晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？
答：通过电流分配关系。
13、能否用两只二极管相互反接来组成三极管？为什么？
答：否;两只二极管相互反接是通过金属电极相接，并没有形成三极管所需要的.基区。
14、什么是三极管的穿透电流？它对放大器有什么影响？
答：当基极开路时，集电极和发射极之间的电流就是穿透电流： ，其中 是集电极-基极反向漏电流， 和 都是由少数载流子的运动产生的，所以对温度非常敏感，当温度升高时二者都将急剧增大。从而对放大器产生不利影响。因此在实际工作中要求它们越小越好。
15、三极管的门电压一般是多少？
答：硅管一般为0.5伏。锗管约为0.2伏。
16、放大电路放大电信号与放大镜放大物体的意义相同吗？
答：不相同。
17、在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？
答：发射结正偏;集电结反偏。
18、三极管输入输出特性曲线一般分为几个什么区域？
答：一般分为放大区、饱和区和截止区。
19、放大电路的基本组态有几种？它们分别是什么？
答：三种，分别是共发射极、共基极和共集电极。
20、在共发射极放大电路中，一般有那几种偏置电路？
答：有上基偏、分压式和集-基反馈式。
21、静态工作点的确定对放大器有什么意义？
答：正确地确定静态工作点能够使放大器有最小的截止失真和饱和失真，同时还可以获得最大的动态范围，提高三极管的使用效率。
22、放大器的静态工作点一般应该处于三极管输入输出特性曲线的什么区域？
答：通常应该处于三极管输入输出特性曲线的放大区中央。
23、在绘制放大器的直流通路时对电源和电容器应该任何对待？
答：电容器应该视为开路，电源视为理想电源。
24、放大器的图解法适合哪些放大器？
答：一般适合共射式上基偏单管放大器和推挽式功率放大器。
25、放大器的图解法中的直流负载线和交流负载线各有什么意义？
答：直流负载线确定静态时的直流通路参数。交流负载线的意义在于有交流信号时分析放大器输出的最大有效幅值及波形失真等问题。
26、如何评价放大电路的性能？有哪些主要指标？
答：放大电路的性能好坏一般由如下几项指标确定：增益、输入输出电阻、通频带、失真度、信噪比。
27、为什么放大器的电压增益的单位常常使用分贝？它和倍数之间有什么关系？
答：放大器的电压增益的单位常常使用分贝的原因：（1）数值变小，读写方便。（2）运算方便。（3）符合听感，估算方便。二者之间的关系是：
28、放大器的通频带是否越宽越好？为什么？
答：不！放大器通频带的宽度并不是越宽越好，关键是应该看放大器对所处理的信号频率有无特别的要求！例如选频放大器要求通频带就应该很窄，而一般的音频放大器的通频带则比较宽。
29、放大器的输入输出电阻对放大器有什么影响？
答：放大器的输入电阻应该越高越好，这样可以提高输入信号源的有效输出，将信号源的内阻上所消耗的有效信号降低到最小的范围。而输出电阻则应该越低越好，这样可以提高负载上的有效输出信号比例。
30、设计放大器时，对输入输出电阻来说，其取值原则是什么？
答：高入低出。
31、放大器的失真一般分为几类？
答：单管交流小信号放大器一般有饱和失真、截止失真和非线性失真三类、推挽功率放大器还可能存在交越失真。
32、放大器的工作点过高会引起什么样的失真？工作点过低呢？
答：饱和失真、截止失真
33、放大器的非线性失真一般是哪些原因引起的？
答：工作点落在输入特性曲线的非线性区、而输入信号的极小值还没有为零时会导致非线性失真。
34、微变等效电路分析法与图解法在放大器的分析方面有什么区别？
答：可以比较方便准确地计算出放大器的输入输出电阻、电压增益等。而图解法则可以比较直观地分析出放大器的工作点是否设置得适当，是否会产生什么样的失真以及动态范围等。
35、用微变等效电路分析法分析放大电路的一般步骤是什么？
答：1）计算出Q点中的 ;2）根据公式 计算出三极管的 。3）用微变等效电路绘出放大器的交流通路。4）根据3）和相应的公式分别计算放大器的输入输出电阻、电压增益等。
36、微变等效电路分析法的适用范围是什么？
答：适合于分析任何简单或复杂的电路。只要其中的放大器件基本工作在线性范围内。
37、微变等效电路分析法有什么局限性？
答：只能解决交流分量的计算问题，不能用来确定Q点，也不能用以分析非线性失真及最大输出幅度等问题。
38、影响放大器的工作点的稳定性的主要因素有哪些？
答：元器件参数的温度漂移、电源的波动等。
39、在共发射极放大电路中一般采用什么方法稳定工作点？
答：引入电流串联式负反馈。
40、单管放大电路为什么不能满足多方面性能的要求？
答：放大能力有限;在输入输出电阻方面不能同时兼顾放大器与外界的良好匹配。
41、耦合电路的基本目的是什么？
答：让有用的交流信号顺利地在前后两级放大器之间通过，同时在静态方面起到良好地隔离。
42、多级放大电路的级间耦合一般有几种方式？
答：一般有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合几种方式
43、多级放大电路的总电压增益等于什么？
答：等于各级增益之乘积。
44、多级放大电路输入输出电阻等于什么？
答：分别等于第一级的输入电阻和末级的输出电阻。
45、直接耦合放大电路的特殊问题是什么？如何解决？
答：零点漂移是直接耦合放大电路最大的问题。最根本的解决方法是用差分放大器。
46、为什么放大电路以三级为最常见？
答：级数太少放大能力不足，太多又难以解决零点漂移等问题。
47、什么是零点漂移？引起它的主要原因有那些因素？其中最根本的是什么？
答：放大器的输入信号为零时其输出端仍旧有变化缓慢且无规律的输出信号的现象。生产这种现象的主要原因是因为电路元器件参数受温度影响而发生波动从而导致Q点的不稳定，在多级放大器中由于采用直接耦合方式，会使Q点的波动逐级传递和放大。
48、什么是反馈？什么是直流反馈和交流反馈？什么是正反馈和负反馈？
答：输出信号通过一定的途径又送回到输入端被放大器重新处理的现象叫反馈。如果信号是直流则称为直流反馈;是交流则称为交流反馈，经过再次处理之后使放大器的最后输出比引入反馈之前更大则称为正反馈，反之，如果放大器的最后输出比引入反馈之前更小，则称为负反馈。
49、为什么要引入反馈？
答：总的说来是为了改善放大器的性能，引入正反馈是为了增强放大器对微弱信号的灵敏度或增加增益;而引入负反馈则是为了提高放大器的增益稳定性及工作点的稳定性、减小失真、改善输入输出电阻、拓宽通频带等等。
50、交流负反馈有哪四种组态？
答：分别是电流串联、电流并联、电压串联、电压并联四种组态。
模拟电子技术基础问题2
1、交流负反馈放大电路的的四种基本组态？
答：交流负反馈有四种组态,即电压串联、电压并联、电流串联和电流并联,有时也称为交流负反馈的四种方式。
2、放大电路中引入电流串联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？
答：对电压增益有削弱作用、提高其增益稳定性、降低失真、提高输入电阻、提高输出电阻等。
3、放大电路中引入电压串联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？
答：对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、降低输出电阻等。
4、放大电路中引入电流并联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？
答：对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、提高低输出电阻等。
5、放大电路中引入电压并联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？
答：对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、降低低输出电阻等。
6、什么是深度负反馈？在深度负反馈条件下，如何估算放大倍数？
答：在反馈放大器中，如 中 ？1，则 ，满足这种条件的放大器叫深度负反馈放大器，此时的放大器的闭环增益已经完全由反馈系数决定。
7、负反馈愈深愈好吗？什么是自激振荡？什么样的反馈放大电路容易产生自激振荡？如何消除自激振荡？
答：不是。当负反馈放大电路的闭环增益 中 =0，则 ，说明电路在输入量为0时就有输出，称电路产生了自激振荡。当信号频率进入低频或高频段时，由于附加相移的产生，负反馈放大电路容易产生自激振荡。要消除自激振荡，就必须破坏产生振荡的条件，改变AF的频率特性，使 。
8、放大电路中只能引入负反馈吗？放大电路引入正反馈能改善性能吗？
答：不是。能，如自举电路，在引入负反馈的同时，引入合适的正反馈，以提高输入电阻。
9、电压跟随器是一种什么组态的放大器？它能对输入的电压信号放大吗？
答：电压跟随器是一种电压串联放大器。它不能对输入的电压信号放大。
10、电压跟随器是属于什么类型的反馈放大器？
答：电压跟随器是一种电压串联反馈放大器。
11、电压跟随器主要用途在哪里？
答：电压跟随器主要用途：一般用于多级放大电路的输入级、输出级，也可连接两电路，起缓冲作用。
12、电压跟随器的输入输出特性如何？
答：电压跟随器的输入输出特性：输入电阻高，输出电阻低。
13、一般说来功率放大器分为几类？
答：按照晶体管在整个周期导通角的不同，可以分为甲类、乙类、甲乙类、丙类、丁类。按照电路结构不同，可以分为变压器耦合、无输出变压器OTL、无输出电容OCL、桥式推挽功率放大电路BTL。
14、甲、乙类功率放大器各有什么特点？
答：甲类功率放大器的特点：晶体管在信号的整个周期内均导通，功耗大，失真小;乙类功率放大器的特点：晶体管仅在信号的`半个周期内导通，功耗小，失真大。
15、为什么乙类功率放大器会产生交越失真？如何克服？
答：因为晶体管b-e间有开启电压为Uon，当输入电压数值|ui|［ u］
16、为什么在设计功率放大器时必须考虑电源功耗、管耗、和效率等问题？
答：因为功率放大电路是在电源电压确定情况下，输出尽可能答的功率。
17、从信号反馈的角度来看，振荡器属于什么类型的电路？
答：从信号反馈的角度来看，振荡器属于正反馈放大电路。
18、产生正弦波振荡的起振条件是什么？
答：产生正弦波振荡的起振条件是 。
19、怎样组成正弦波振荡电路？它必须包括哪些部分？
答：正弦波电路的组成：放大电路、选频网络、正反馈网络、稳幅环节。
20、在变压器耦合的正弦波振荡器中如何判断电路能否起振？
答：在变压器耦合的正弦波振荡器中判断电路能否起振的方法：瞬时极性法。
21、在三点式正弦波振荡器中如何判断电路能否起振？
答：在三点式正弦波振荡器中判断电路能否起振的方法：射同基反。
22、 什么是放大电路的频率特性（或频率响应）？
答：放大电路的性能（其中主要指电压放大倍数Au）对不同频率正弦输入的稳态响应称为放大电路的频率特性。
23、 频率特性的分类。
答：频率特性分为幅频特性和相频特性。
24、 什么是幅频特性？
答：幅频特性是指放大倍数的大小（即输入、输出正弦电压幅度之比）随频率变化的特性。
25、 什么是相频特性？
答：相频特性是指输出电压与输入电压的相位差（即放大电路对信号电压的相移）随频率变化的特性。
26、 什么是波特图？
答：频率特性曲线采用对数坐标时，称为波特图。
27、 为什么用波特图表示频率特性？
答：因为在研究放大电路的频率响应时，输入信号的频率范围常常设置在几赫到上百万兆赫;而放大电路的放大倍数可从几倍到上百万倍;为了在同一坐标系中表示如此宽的变化范围，所以采用对数坐标，即波特图。
28、 什么是放大电路的上限截止频率？
答：信号频率上升到一定程度，放大倍数数值也将减小，使放大倍数数值等于0.707倍|Am|的频率称为上限截止频率fH。
29、什么是放大电路的下限截止频率？
答：信号频率下降到一定程度，放大倍数数值也将减小，使放大倍数数值等于0.707倍|Am|的频率称为下限截止频率fL。
30、 什么是半功率点？
答：当信号频率为上限截止频率fH或下限截止频率fL时，输出电压放大倍数|Am|下降到0.707倍|Am|，即相应的输出功率也降到幅值的一半，因此fH或fL也叫做半功率点。
31、什么是放大电路的通频带？
答：fH与fL之间形成的频带称为放大电路的通频带BW，可以表示为BW =fH-fL。
32、放大电路频率特性不好会产生什么危害？
答：如果放大电路频率特性不好，当输入信号为非正弦波时，会使输出信号波形与输入波形不同，即产生波形失真，这种失真称为频率失真。其中因为幅频特性不好即不同频率放大倍数的大小不同而产生的频率失真，称为幅度失真;因为相频特性不好即相移不与频率成正比而产生的频率失真，称为相位失真。
33、低频放大电路的频率特性主要受哪些因素的影响？
答：低频放大电路的频率特性主要受以下因素影响：⑴放大电路的级数越多，其通频带越窄，频率特性越差。⑵在电路中引入负反馈，可以展宽通频带，提高频率特性。⑶耦合电容、前级放大电路输出电阻和后级放大电路的输入电阻对频率特性也有影响。
34、高通电路频率特性有什么特点？
答：高通电路在低频段放大倍数数值下降，且产生超前相移。
35、低通电路频率特性有什么特点？
答：低通电路在高频段放大倍数数值下降，且产生滞后相移。
36、对于放大电路，是通频带越宽越好吗？
答：对于放大电路不是通频带越宽越好。
37、什么是功率放大电路？
答：功率放大电路是指能输出足够的功率以推动负载工作的放大电路。因为它一般都位于多级放大电路的最后一级，所以又常称为末级放大电路。
38、对功率放大电路的主要技术性能有哪些要求？
答：功率放大电路是大信号放大电路，其主要技术性能要求是：⑴输出功率要足够大;⑵转换效率要高;⑶三极管的功耗要小;⑷非线性失真要小;⑸三极管的工作要安全、可靠。
39、用什么方法分析功率放大电路？
答：由于功率放大电路工作在大信号条件下，所以不宜采用小信号等效电路分析法分析，通常采用大信号模型或者图解法进行分析，其中用得较多的是图解法。
40、什么是三极管的甲类工作状态？
答：在放大电路中，当输入信号为正弦波时，若三极管在信号的整个周期内均导通（即导通角θ=360°），则称之工作在甲类状态。
41、 什么是三极管的乙类工作状态？
答：在放大电路中，当输入信号为正弦波时，若三极管仅在信号的正半周或负半周导通（即导通角θ=180°），则称之工作在乙类状态。
42、 什么是三极管的甲乙类工作状态？
答：在放大电路中，当输入信号为正弦波时，若三极管的导通时间大于半个周期且小于周期（即导通角θ=180°～360°之间），则称之工作在甲乙类状态。
43、 什么是变压器耦合功率放大电路？
答：既有输入耦合变压器，又有输出耦合变压器的功率放大电路称为变压器耦合功率放大电路。
44、 变压器耦合功率放大电路有什么优缺点？
答：变压器耦合功率放大电路的优点是可以实现阻抗变换，缺点是体积庞大、笨重，消耗有色金属，且频率较低，低频和高频特性均较差。
45、什么是OCL电路？
答：OCL电路是指无输出耦合电容的功率放大电路。
46、OCL电路有什么优缺点？
答：OCL电路具有体积小重量轻，成本低，且频率特性好的优点。但是它需要两组对称的正、负电源供电，在许多场合下显得不够方便。
47、什么是OTL电路？
答：OTL电路就是没有输出耦合变压器的功率放大电路。
48、OTL电路有什么优缺点？
答：OTL电路的优点是只需要一组电源供电。缺点是需要能把一组电源变成了两组对称正、负电源的大电容;低频特性差。
49、什么是BTL电路？答：为了实现单电源供电，且不用变压器和大电容，可采用桥式推挽功率放大电路，简称BTL电路。
50、BTL电路有什么优缺点？答：BTL电路的优点有只需要单电源供电，且不用变压器和大电容，输出功率高。缺点是所用管子数量多，很难做到管子特性理想对称，且管子总损耗大，转换效率低。
模拟电子技术基础问题3
一、判断题
1、电压，也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。(√)
2、在导体上施加电压就会有电流流过。(√)
3、导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。(√)
4、电动势是表示非静电力把单位正电荷从负极经电源内部移到正极所做的功。(√)
5、电器设备在单位时间内消耗的电能称为电功率。(√)
6、在同一电路中，导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻阻值成反比,这就是欧姆定律。(√)
7、电磁场可由变速运动的带电粒子引起，也可由强弱变化的电流引起。(√)
8、电磁感应是因磁通量变化产生感应电动势的现象。(√)
9、电路的基本组成部分是电源和负载。(×)
10、电路中能提供电能的称为电源元件。(√)
11、通过一根导线将电阻连接在一起的方法称为串联连接。(√)
12、将2个以上电阻用平行连接的方法称为并联连接。(√)
13、电气回路中流过的电流超过一定数值时，保护装置起作用，保护回路安全。(√)
14、通断装置就是在电气回路中设置的接通和断开电源的装置。(√)
15、半导体是构成电子控制零部件的基础单元。(√)
16、半导体如果受外部刺激，其性质不会发生变化。(×)
17、半导体分为P型、N型和H型。(×)
18、二极管是P型半导体和N型半导体接合而成的。(√)
19、二极管具有单向导通性能。(√)
20、一般整流用二极管。(√)
21、齐纳二极管是一种特殊的二极管。(√)
22、晶体管是在PN接合半导体上，再接合一块P型或N型半导体。(√)
23、晶体管的工作原理同二极管相同。(×)
24、晶体管的作用就是开关作用。(×)
25、增幅作用是晶体管的运用之一。(√)
二、单选题
1、电压的符号为(C)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
2、电压的单位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆
3、电流的符号为(B)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
4、电流的单位是(C)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆
5、电阻的符号为(A)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
6、电阻的单位是(D)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆
7、电动势的符号为(A)。
(A)E (B)I (C)U (D)P
8、电动势的单位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆
9、电功率的符号为(D)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
10、电功率的单位是(B)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆
11、关于欧姆定律，选出合适的描述(B)。
(A)电流与电阻成正比 (B)电流与电压成正比
(C)电流与电压成反比 (D)电流与电阻、电压无关
12、向1欧姆的电阻施加1伏特的电压时产生的电流大小就是(D)安培。
(A)0 (B)0.5 (C)1.5 (D)1
13、引起电磁场的原因是(A)。
(A)由变速运动的带电粒子引起 (B)由不变的电压引起
(C)由不变的电流引起 (D)由较大的电阻引起的
14、引起电磁场的原因是(C)。
(A)由不变的电流引起的 (B)由不变的电压引起的
(C)由强弱变化的电流引起的 (D)由较大的电阻引起的
15、感应电流产生的条件是(B)。
(A)无切割磁感线的运动(B)电路是闭合且通的 (C)电路时打开的 (D)磁通量不变化
16、感应电流产生的条件是(C)。
(A)无切割磁感线的运动 (B)电路时打开的
(C)穿过闭合电路的磁通量发生变化 (D)磁通量不变化
17、电路的基本组成部分是电源、负载和(A)。
(A)连接导线 (B)电动势 (C)负极 (D)正极
18、电路的基本组成部分是连接导线、负载和(A)。
(A)正极 (B)电动势 (C)负极 (D)电源
19、电路中能提供电能的称为(D)。
(A)耗能元件 (B)储能元件 (C)无源元件 (D)电源元件
20、电路中不能提供电能的称为(D)。
(A)耗能元件 (B)储能元件 (C)电源元件 (D)无源元件
21、串联连接回路中，流过各电阻的电流(C)。
(A)同各电阻的阻值成正比 (B)同各电阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐渐减小
22、串联连接回路中，加在各电阻的电压(A)。
(A)同各电阻的阻值成正比 (B)同各电阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐渐增大
23、并联连接回路中，加在各电阻上的电压(C)。
(A)同各电阻的阻值成正比 (B)同各电阻的阻值成反比 (C)相同(D)以上选项都不是
24、并联连接回路中，总的电流等于各电阻的(A)。
(A)电流之和 (B)电流之积 (C)电流平均值 (D)电流均方根值
25、常见的保护装置是指(C)。
(A)继电器 (B)开关 (C)熔断器 (D)电磁阀
26、熔断器的容量大约是负荷电流(B)倍。
(A)1 (B)1.5 (C)5 (D)10
27、常见的通断装置是指开关和(D)。
(A)电磁阀 (B)传感器 (C)熔断器 (D)继电器
28、继电器是利用作用在线圈上的(C)开闭其触点，以便接通和断开电源。
(A)磁力线 (B)磁场 (C)电磁力 (D)永久磁场
29、半导体的导电性能(C)。
(A)比导体好 (B)比绝缘体差 (C)介于导体和绝缘体之间 (D)接近金属导体
30、常见的半导体有硅和(D)。
(A)碳 (B)铜 (C)铅 (D)锗
31、如果温度升高，半导体的自由电子数将(A)。
(A)增加 (B)不变 (C)减少 (D)一会增加，一会减少
32、如果温度升高，半导体的电阻值将(A)。
(A)增加 (B)不变 (C)减少 (D)一会增加，一会减少
33、P型半导体是在有4个价电子的硅或锗中加入了有(B)个价电子的铟元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
34、N型半导体是在有4个价电子的硅或锗中加入了有(C)个价电子的砷元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
35、P型半导体带有很多(A)。
(A)带正电量的空穴 (B)带负电量的空穴
(C)带正电量的自由电子 (D)带负电量的自由电子
36、N型半导体带有很多(D)。
(A)带正电量的空穴 (B)带负电量的空穴
(C)带正电量的自由电子 (D)带负电量的自由电子
37、在二极管的P型侧接电源的正极，在N型侧接电源的负极，其接合部的电场屏蔽将(D)。
(A)增强 (B)不变 (C)减弱 (D)消失
38、在二极管的P型侧接电源的正极，在N型侧接电源的负极，自由电子将越过接合面向(A)移动。
(A)正极 (B)负极 (C)一半向正极，一半向负极 (D)百分之二十向负极
39、半波整流使用(A)个二极管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
40、全波整流使用(D)个二极管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
41、在齐纳二极管上施加逆方向电压，当电压超过某一数值时，(D)。
(A)会急剧产生电流 (B)会急剧产生电阻
(C)会急剧产生电流导致二极管击穿损坏 (D)会急剧产生电流而不会出现击穿损坏
42、齐纳二极管的齐纳电压与二极管的击穿电压相比，齐纳电压(C)。
(A)高 (B)低 (C)相同 (D)不确定
43、晶体管有(B)型。
(A)NNP (B)NPN (C)PNN (D)PPN
44、晶体管有(C)型。
(A)NNP (B)NPP (C)PNP (D)PPN
45、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子(A)。
(A)朝基极侧移动 (B)朝集电极侧移动 (C)不动 (D)在发射极处无序运动
46、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴(A)。
(A)朝集电极侧移动 (B)朝发射极侧移动 (C)不动 (D)在基极处无序运动
47、在汽车中与电子控制相关的回路的开闭一般由(D)来进行。
(A)开关 (B)继电器 (C)二极管 (D)晶体管
48、晶体管不存在类似继电器(B)磨损、烧损等情况。
(A)线圈 (B)触点 (C)电磁力 (D)磁力线
49、在开关回路中，主要运用了晶体管的(D)优点。
(A)不存在类似继电器触点磨损、烧损等情况 (B)可以实现高速开闭
(C)不会发生间歇电震 (D)可实现小电流控制大电流。
50、晶体管的运用有开关回路、定时回路、电压限制和(D)。
(A)发动机转速传感 (B)空气流量传感 (C)温度传感 (D)电子点火
三、多选题
1、下面有关电压讲述正确的是(ABCE)。
(A)电压是静电场或电路中两点间电动势之差 (B)电压的单位是伏特
(C)电压可分为高电压与低电压 (D)电压的大小取决于电动势 (E)电压的符号是U
2、下面有关电压和电流讲述正确的是(ABCD)。
(A)在导体上施加电压就会有电流流过 (B)电流的单位是安培
(C)电压可分为交流电和直流电 (D)电流的符号是I (E)电流是自行产生的
3、下面有关电阻讲述正确的是(ABDE)。
(A)导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。 (B)电阻的单位是欧姆
(C)电阻可分为交流电阻和直流电阻 (D)电阻的符号是R
(E)导体的长度、材料相同时，横截面积越大，电阻越小
4、下面有关电动势讲述正确的是(ADE)。
(A)电动势是表示非静电力把单位正电荷从负极经电源内部移到正极所做的功
(B)电动势是表示静电力把单位正电荷从电场中的某一点移到另一点所做的功
(C)电动势单位是瓦特 (D)电动势的符号是E (E)电动势的单位是伏特
5、下面有关电功率讲述正确的是(ABC)。
(A)电功率是电气设备在单位时间内消耗的电能 (B)电功率的'单位是瓦特
(C)电功率的符号为P (D)电功率的大小与时间无关 (E)电功率的大小和电压无关
6、关于欧姆定律，选出合适的描述(BE)。
(A)电流与电阻成正比 (B)电流与电压成正比 (C)电流与电压成反比
(D)电流与电阻、电压无关 (E)电流与电阻成反比
7、引起电磁场的原因是(CD)。
(A)由不变的电流引起 (B)由不变的电压引起 (C)由强弱变化的电流引起
(D)由变速运动的带电粒子引起 (E)由不变的电阻引起
8、感应电流产生的条件有(ABC)。
(A)电路是闭合且通的 (B)穿过闭合电路的磁通量发生变化
(C)电路的一部分在磁场中做切割磁感线运动
(D)磁通量不需变化 (E)电路可以是打开的
9、电路的基本组成部分是(ABC)。
(A)电源 (B)负载 (C)连接导线 (D)正极 (E)负极
10、电路中无源元件的分类为(B)。
(A)有源元件 (B)储能元件 (C)耗能元件 (D)理想元件 (E)非理想元件
11、串联连接回路描述正确的是(AB)。
(A)流过各电阻的电流相同 (B)加在各电阻的电压同各电阻的阻值成正比
(C)流过各电阻的电流不同 (D)加在各电阻的电压同电阻成反比
(E)电阻和电流，电压无关
12、并联连接回路描述正确的是(AB)。
(A)加在各电阻上的电压相同 (B)总的电流等于各电阻的电流之和
(C)流过各电阻的电流相同 (D)加在各电阻的电压同电阻成反比
(E)电阻和电流，电压无关
13、漏电保护装置按检测信号分，可分为(AB)。
(A)电压动作型 (B)电流动作型 (C)电阻动作型 (D)电动势动作型(E)电感动作型
14、关于继电器的说法正确的是(ABC)。
(A)能够缩短流过大电流回路的电线，并能将开关设置远离需要接通和断开的回路的地方。(B)能够实现各装置操作的自动化或远距离操作。
(C)能够使用触点容量小的开关。 (D)能够替代熔断器。 (E)能代替保险丝
15、半导体材料有很多种，按化学成分可分(AD)。
(A)元素半导体 (B)非元素半导体 (C)单一半导体
(D)化合物半导体 (E)混合物半导体
16、半导体的特性是(ABCDE)。
(A)电阻率特性 (B)导电特性 (C)光电特性(D)负的电阻率温度特性 (E)整流特性
17、半导体的分类，按照其制造技术可以分为(ABCDE)等。
(A)集成电路器件 (B)分立器件 (C)光电半导体 (D)逻辑IC (E)模拟IC
18、二极管的内部结构，可分为(AB)。
(A)点接触型 (B)面接触型 (C)线接触型 (D)无接触型 (E)全接触型
19、半导体的特性是(ABCDE)。
(A)电阻率特性 (B)导电特性 (C)光电特性(D)负的电阻率温度特性 (E)整流特性
20、关于二极管的应用，正确的是(ABC)。
(A)异常脉冲的吸收 (B)逆电动势的吸收 (C)防止逆流 (D)稳压 (E)放大功能
21、齐纳二极管的作用是(ABD)。
(A)稳压 (B)调压 (C)减压 (D)吸收逆电动势 (E)放大功能
22、属于晶体管的电极是(BCD)。
(A)触发极 (B)发射极 (C)基极 (D)集电极 (E)放大极
23、NPN型硅管的输出特性曲线是一组以Ib为参变量的曲线族。曲线族可分为(BCD)。
(A)减少区 (B)截止区 (C)放大区 (D)饱和区 (E)安全区
24、晶体管的优点是(ABC)。
(A)不存在类似继电器触点磨损、烧损等情况 (B)可以实现高速开闭
(C)不会发生间歇电震 (D)可实现大电流控制小电流 (E)可实现电流互换
25、晶体管的运用有(ABCE)。
(A)开关回路 (B)电压限制 (C)电子点火 (D)启动回路 (E)定时回路
模拟电子技术基础问题4
《模拟电子技术》模拟试题四
一．填充题（每空1分，共20分）
1．按击穿的机理区分，PN结的击穿分为 击穿和 击穿。
2．电路如附图4.1所示，当V=5V时测得ID＝2mA；若V增大到10V，ID的值；若V不变，而环境
温度降低时，ID的值。
3．由晶体管共射极输出特性可见，在放大区iB不变时，iC随uCE的增大而略增加，原因是uCE增大时基区有效宽
度 ，这称为 效应。
4．使直接耦合放大电路产生零点漂移的原因主要是 和元件的 。
5．若增大固定偏置共射极放大电路中晶体管的IBQ，该放大电路大减小。
6．共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是 失真；乙类功放电路的主要缺点是输出有 失真。
7．负反馈放大电路的fHf (1 AF)fH，适用于反馈环内只有一的电路；负反馈改善放大电路的性能是
以 为代价。
8．电容三点式正弦波振荡电路的主要优点是 ，主要缺点是 。
9．为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般选用 放大电路，因此由半导体三极管组成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应 。
10．用集成运放组成的非正弦信号发生器一般由 和 两个部分组成。
二．分析计算题（共80分）
1．（12分）有两个相同的基本放大电路，负载开路时的电压放大倍数Au1 Au2 50、输入电阻Ri1 Ri2 2kΩ、输出电阻Ro1 Ro2 10kΩ，现用这两个基本放大电路组成一个多级放大电路，并用内阻Rs 2kΩ的正弦波信号源驱动，输出端接10kΩ的负载电阻RL。试求该多级放大电路的.输入电阻Ri、输出电阻Ro、电压放大倍数Au及源电压放大倍数Aus。
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2．（12分）电路如附图4.2所示，设T1、T2特性相同，IDSS＝4mA、UGS(off)＝－4V；调零电位器RW＝2kΩ，其滑动端调在中点。试计算：
（1）静态工作点的值；
（2）Aud、Ro；
（3）若电路改为从T1的漏极与“地”之间输出，求这种情况下的差模电压放大倍数、共模电压放大倍数、共模抑制比以及输出电阻。
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3．（12分）电路如附图4.3所示，已知集成运放的性能理想，T1、T2性能一致，输入电压是一个幅度为1V的正弦波信号。
及每个功放管的功耗PT。（1）说出R2引入什么类型的反馈；（2）试求输出功率Po、功放级的电源消耗功率PV、
4．（12分）电路如附图4.4所示。已知集成运放性能均理想，R1 R2 R、R3 R4 R5。试求：
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（1）Au1(s) Uo1(s)/Ui(s)的表达式；A(s) Uo(s)/Ui(s)的表达式； （2）u
（3）试问运放A1组成什么电路？整个电路又是什么电路？
5．（10分）一比较器如附图4.5所示已知硅稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，正向导通时的电压降为0.6V，UR＝12V，集成运放性能理想。
（1）试求输出高电平UOH、低电平UOL和阈值电压值；（2）画出电压传输特性曲线。
2-1u 4u 3uK 1VOII6．（10分）试用一个性能理想的集成运放和的模拟乘法器设计一个运算电路，实现的运
算功能。要求画出电路，标出各电阻之间的比例关系。
7．（12分）电路如附图4.6所示，设集成运放性能理想，UI 足够大。试求：
（1）最大输出电压UO(max)，并说明在什么条件下获得；（2）最小输出电压UO(min)，并说明在什么条件下获得。
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模拟电子技术基础问题5
一、填空题（共20分，每空1分）
1.供电质量包括供电的可靠性、电压质量、及电压波形质量四个方面，220V单相供电电压允许偏差。
2.保护接地电阻不允许超过Ω，重复接地电阻一般小于Ω。
3.变压器箱体上的油管起作用。
4.点动控制电路和连续运转控制电路的区别在于是否有触点。
5.在电路中，热继电器只能作保护，不能作短路保护。
6.低压断路器在电路中可起保护、保护、和失压保护作用。
7.根据转子结构的不同，三相异步电动机分有式和两类，其中电动机能获得较好的启动与调速性能。
8.在三相异步电动机正反转控制电路中互锁的方法有互锁和互锁。
9.采用接触器的控制电路具有失压保护功能。
10.是描述转子转速与旋转磁场转速差异程度的，即电动机的.异步程度。旋转磁场转速n0= 。
11.电动机铭牌额定电压是指额定状态运行时，定子回路所加的，额定电流是指额定状态运行时，定子回路输入的。
二、判断题（共10分，每题1分）
1.安全用电包括供电系统安全、用电设备安全及人身安全三个方面。（）
2．只要任意调换三相异步电动机的两根电源线，就可以改变电动机转向。（）
3.使用螺口灯泡时，应将螺口接零线，灯头顶部电极接相线。（）
4.同一低压配电网中，设备可以根据具体需要选择保护接地措施或保护接零措施。（）
5.变压器不仅可以变换交流电压，还可以变换直流电压。（）
6.负载减小时，变压器的一次电流将减小。（）
7.欲使四个停止按钮都能控制接触器断电，则它们的常闭触点应并联接到接触器的线圈电路中。（）
8.闸刀开关拉闸前，应尽量使电动机处于空载。（）
9.三相异步电动机直接启动电路中，若有热继电器作过载保护，可不用熔断器来保护电动机。（）
10.在用接触器控制的三相异步电动机连续运转的线路中，不具有失压保护功能。（）
三、选择题（共10分，每题1分）
1.在潮湿的工程点，只允许使用（）进行照明。
A．12V手提灯B. 36V手提灯C. 220V电压
2.变压器中起传递电能作用的是（）。
A.主磁通B.漏磁通C.电流D.电压
3.电流互感器运行时，接近（）。
A.空载状态，二次绕组不准开路B.空载状态，二次绕组不准短路
C.短路状态，二次绕组不准短路D.短路状态，二次绕组不准开路
4.接触器在控制电路中的文字符号是（）。
A.FR B. KM C. FU D. SB
5.保护接零是将设备金属外壳或构架与（）做良好连接。
A.接地装置B.电网零线C.任意电源线
6.在电路中起到短路保护、失压保护和过载保护的电器是（）。
A.接触器B.熔断器C.热继电器D.断路器
7.熔断器主要用作三相异步电动机的（）。
A.过压保护B.过载保护C.短路保护D.欠压保护
8.正反转控制电路中互锁的作用是（）。
A.防止正转、反转不能顺利过渡B.防止主电路电源短路
C.防止控制电路电源短路D.防止电动机不能停车
9.一台三相异步电动机带恒定负载运行，将负载去掉后，电动机稳定运行的转速将（）。
A.等于同步转速B.大于同步转速C.小于同步转速
10.某电容分相式单相异步电动机启动绕组和工作绕组规格相同，反转方法是（）
A.将两根电源进线（相线和中性线）对调B.将电容器换接到另一绕组上
C.将工作绕组和启动绕组的首端与末端一起对调D.将工作绕组或启动绕组的首端与末端对调
四、简答题（共30分，每题10分）
1.电动机旋转磁场的旋转方向由什么决定？怎样改变旋转磁场的旋转方向？
2.接触器由那些主要部分构成？其辅助常开、常闭触点通常在控制电路中起何作用？
3.简述影响变压器外特性的因素，哪些是固定功率损耗或可变功率损耗
五、计算题（共20分，每题10分）
1.已知Y-160M1-2型三相异步电动机额定转速n2=2930r/min，求同步转速n0及磁极对数P
2.一台单相变压器，一次电压U1=220V，k=12，求二次电压U2，若I2=2A，求一次电流I1
六、应用题（共30分，每题10分）
1.请绘制有漏电保护措施的自耦降压变压器接线图，并标明输入、输出端。
2.请绘制直管荧光灯接线图，并标明器件名称。
3.请绘制三相异步电动机直接启停控制电路，并说明其控制过程。要求具有启动连续运行、停车、过载保护FR功能。
模拟电子技术基础问题6
一、选择题(每空2分 共30分)
1、PN结正偏时( )，反偏时( )，所以PN结具有( )导电性。
2、漂移电流是( )电流，它由( )载流子形成，其大小与( )有关，而与外加电压( )。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为( )，等效成一条直线;当其反偏时，结电阻为( )，等效成断开;
4、三极管是( )控制元件，场效应管是( )控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( )，集电结( )。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic( )，发射结压降( )。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是( )、( )、( )放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用( )负反馈，为了稳定交流输出电流采用( )负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=( )，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=( )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( )BW，其中BW=( )，( )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为( )信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为( )信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的( )失真，而采用( )类互补功率放大器。
13、OCL电路是( )电源互补功率放大电路;OTL电路是( )电源互补功率放大电路。
二 、填空题(每空1分 ，共32分)
1、空穴为( )载流子。自由电子为( )载流子的杂质半导体称为P型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为( )反之称为( )
3、由漂移形成的电流是反向电流，它由( )栽流子形成，其大小决定于( )，而与外电场( )。
4、稳定二极管稳压时是处于( )偏置状态，而二极管导通时是处于( )偏置状态。 1
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是( )控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO( )所以Ic也( ) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用( )负反馈。为稳定交流输出电压，采用( )负反馈，为了提高输入电阻采用( )负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以( )通频带( )失真。
9、反馈导数F=( )。反馈深度是( )。
10、差分放大电路能够抑制( )信号，放大( )信号。
11、OCL电路是( )电源互补功放，OTL是( )电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的'相位称为( )。低频信号称为( )、高频信号称为( )。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而( )。共基极电路比共射极电路高频特性( )。
14、振荡电路的平衡条件是( )，( )反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15、在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是( )。
模拟电子技术基础问题7
一、选择题
1.光通量的单位是（ B ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
2. 辐射通量φe的单位是（ B ）
A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)
3.发光强度的单位是（ A ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
4.光照度的单位是（ D ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
5.激光器的构成一般由（ A ）组成
A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器
C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子
6. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。适当偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于（ A ）
A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好
8.下列哪个不属于激光调制器的是（ D ）
A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器
9.电光晶体的非线性电光效应主要与（ C ）有关
A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量
10.激光调制按其调制的性质有（ C ）
A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制
11.不属于光电探测器的是（ D ）
A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件
12.CCD 摄像器件的信息是靠（ B ）存储
A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子
13.LCD显示器，可以分为（ ABCD ）
A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型
14.掺杂型探测器是由（ D ）之间的电子-空穴对符合产生的，激励过程是使半导体中的载
流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带
15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及（ B ）
A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱
16.红外辐射的波长为（ D ）.
A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm
17.可见光的波长范围为（ C ）.
A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm
18.一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面
的照度为30lx，该灯的光通量为（ A ）.
A .848lx B .212lx C .424lx D .106lx
19.下列不属于气体放电光源的是（ D ）.
A .汞灯 B .氙灯 C .铊灯 D .卤钨灯
20.ＬＣＤ是（ Ａ ）
A.液晶显示器 B.光电二极管 C.电荷耦合器件 D.硅基液晶显示器
21.25mm的视像管，靶面的有效高度约为10mm，若可分辨的最多电视行数为400，则相当于（ A ）线对/mm.
A.16 B.25 C.20 D.18
22. 光电转换定律中的光电流与 ( B ) .
A 温度成正比 B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比
23. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )
A 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短
B 超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短
C 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长
D 超声波频率低，光束与声波面间以一定角度入射，声光作用长度短
24.光束调制中，下面不属于外调制的是 ( C )
A 声光调制 B 电光波导调制 C 半导体光源调制 D 电光强度调制
25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及 ( B )
A 多 色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱
26.能发生光电导效应的半导体是 ( C )
A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和杂质型 D本征型和自由载流子型
27.电荷耦合器件分 ( A )
A 线阵CCD和面阵CCD B 线阵CCD和点阵CCD
C 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD
28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )
A 计算 B 显示 C 检测 D 输出
29.光电探测器的性能参数不包括（D）
A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性
30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是（B）
A.光谱响应范围广 B.阈值电流低 C.工作电流大 D.灵敏度高
31.关于LD与LED下列叙述正确的是（C）
A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射
D .LED可发出相干光
32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述，在强辐射作用下（A ）
A. ?=0.5 B.? =1 C. ?=1.5 D. ?=2
33.硅光二极管主要适用于[D]
A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见
光及红外光谱区
34.硅光二极管主要适用于[D]
A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见
光及红外光谱区
35.光视效能K为最大值时的波长是（A ）
A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm
36. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是 （D）
A 电子为多子 B 空穴为少子
C 能带图中施主能级靠近于导带底 D 能带图中受主能级靠近于价带顶
37. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压 （C）
A Si光电二极管 B PIN光电二极管 C 雪崩光电二极管 D 光电三极管
38. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是： （D）
A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系
B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度
C 光敏电阻具有前历效应
D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动
39. 在直接探测系统中, (B)
A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位
B 探测器只响应入射其上的平均光功率
C 具有空间滤波能力
D 具有光谱滤波能力
40. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（D）
A LD只能连续发光 B LED的单色性比LD要好
C LD内部可没有谐振腔 D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽
41. 对于N型半导体来说，以下说法正确的是 （A）
A 费米能级靠近导带底 B 空穴为多子
C 电子为少子 D 费米能级靠近靠近于价带顶
42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （D）
A 光电二极管 B 光电三极管
C 光电倍增管 D 光电池
43. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。适当偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
44. 有关热电探测器, 下面的说法哪项是不正确的(C)
A 光谱响应范围从紫外到红外几乎都有相同的响应
B 响应时间为毫秒级
C 器件吸收光子的能量, 使其中的'非传导电子变为传导电子
D 各种波长的辐射对于器件的响应都有贡献
45. 为了提高测辐射热计的电压响应率，下列方法中不正确的是 （D）
A 将辐射热计制冷 B 使灵敏面表面黑化
C 将辐射热计封装在一个真空的外壳里 D 采用较粗的信号导线
46.光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量 为
A 683lm B 0.683lm C 278.2 lm D 0.2782 lm （D）
47. 下列探测器的光－电响应时间，由少数载流子的寿命决定： （A）
A 线性光电导探测器 B 光电二极管
C 光电倍增管 D 热电偶和热电堆
48. 给光电探测器加合适的偏置电路，下列说法不正确的是 (A )
A 可以扩大探测器光谱响应范围 B 可以提高探测器灵敏度
C 可以降低探测器噪声 D 可以提高探测器响应速度
49. 下列光源中哪一种光源，可作为光电探测器在可见光区的积分灵敏度测量标准光源： （C）
A 氘灯 B 低压汞灯
C 色温2856K的白炽灯 D 色温500K的黑体辐射器
50. 克尔效应属于 （A）
A 电光效应 B 磁光效应
C 声光效应 D 以上都不是
51. 海水可以视为灰体。300K的海水与同温度的黑体比较（A）
A 峰值辐射波长相同 B 发射率相同
C 发射率随波长变化 D 都不能确定
52. 下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器 （C）
A 热电偶 B 红外光电二极管
C 2CR113蓝硅光电池 D 杂质光电导探测器
二．简答
1.可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少？
波长：380~780nm 400~760nm
频率：385T~790THz 400T~750THz
能量：1.6~3.2eV
2.发光二极管的优点？
效率高、光色纯、能耗小、寿命长、可靠耐用、应用灵活、绿色环保。
3.气体放电光源的特点？
效率高、结构紧凑、寿命长、辐射光谱可选择
4.半导体激光器特点？
体积小、重量轻、易调制、功效低、波长覆盖广、能量转换效率高。
5.光体放点的发光机制？
气体在电场作用下激励出电子和离子，成为导电体。离子向阴极、电子向阳极运动 ，从电场中得到能量，它们与气体原子或分子碰撞时会激励出新的电子离子，也会使气体原子受激，内层电子跃迁到高能级。受激电子返回基态时，就辐射出光子来。
6.激光的特点？
激光的高亮度、高方向性、高单色性和高度时间空间相干性是前述一般光源所望尘莫及的，它为光电子技术提供了极好的光源。
7.量子井LD的特性？
阈值电流很低、谱线宽度窄，改善了频率Chirp、调制速率高、温度特性好
8.超高亮度彩色LED的应用？
LED显示屏、交通信号灯、景观照明、手机应用、LED显示屏的背光源。
9.激光测距的优点？
（1）测距精度高（2）体积小、重量轻（3）分辨率高、抗干扰能力强
10.激光雷达的优点？
（1）激光高度的方向性，使光束发散角很小、分辨能力大大提高。
（2）抗干扰能力强
（3）体积小质量轻
11.简要描述一下黑体光谱辐射出射度与波长和温度的关系？
（1）对应任一温度单色辐射出射度随波长连续变化，且只有一个峰值，对应不同温度的曲线不相交。
（2）单色辐射出射度和辐射出射度均随温度升高而增大。
（3）单色辐射出射度和峰值随温度升高而短波方向移动。
模拟电子技术基础问题8
一、选择题（每题20分）
1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的(B)。
A.1～2倍
B.2～3倍
C.3～4倍
D.4～5倍
2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（A）。
A.1.5～2倍
B.2～2.5倍
C.2.5～3倍
D.3～3.5倍
3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（B）。
A.维持电流IH
B.擎住电流IL
C.浪涌电流ITSM
D.最小工作电流IMIN
4.（）对同一只晶闸管，擎住电流IL约为维持电流IH的(B)。
A.1～2倍
B.2～4倍
C.3～5倍
D.6～8倍
5.()普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用(D)标定。
A.平均值
B.最大值
C.最小值
D.有效值
6.(C)晶闸管属于
A.全控型器件
B.场效应器件
C.半控型器件
D.不可控器件
7.()晶闸管可通过门极(C)。
A.既可控制开通，又可控制关断
B.不能控制开通，只能控制关断
C.只能控制开通，不能控制关断
D.开通和关断都不能控制
8.（）使导通的晶闸管关断只能是(C)。
A.外加反向电压
B.撤除触发电流
C.使流过晶闸管的电流降到接近于零
D.在门极加反向触发
9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是(A)。
A.阴极K
B.阳极A
C.门极K
D.发射极E
10.（）晶闸管导通的条件是（A）。
A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲
B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲
C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲
D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲
11.()可关断晶闸管（GTO）是一种（A）结构的半导体器件。
A.四层三端
B.五层三端
C.三层二端
D.三层三端
12.（）晶闸管的三个引出电极分别是（A）。
A.阳极、阴极、门极
B.阳极、阴极、栅极
C.栅极、漏极、源极
D.发射极、基极、集电极
13.（）已经导通了的`晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A）。
A.减小至维持电流IH以下
B.减小至擎住电流IL以下
C.减小至门极触发电流IG以下
D.减小至5A以下
14.()单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（B）。
A．0～90°
B.0～120°
C.0～150°
D.0～180°
15.()单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（D）时，Ud=0。
A．90°
B.120°
C.150°
D.180°
16.()单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（D）时，Ud=0.45U2。
A．0°
B.90°
C.150°
D.180°
17.()单相半波可控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正反向电压均为（C）。
A．U2
B.U2
C.U2
D.2U2
18.（）单相半波可控整流电路，带电阻性负载R，设变压器二次侧相电压有效值为U2，则直流输出电流平均值为（C）。
A.0.45
B.0.225(1+COSa)
C.0.9(1+COSa)
D、0.45
19.()单相半波可控整流电路，带电阻性负载，设变压器二次侧相电压有效值为U2，则直流输出电压平均值为（B）。
A.0.45U2
B.0.9U2(1+COSa)
C.0.9U2
D.0.45U2
20.()单相半波可控整流电路，阻感性负载时，在负载两端并联续流二极管的作用是（B）。
A．使α的移相范围加大。
B.使Ud不再出现负的部分。
C.保护可控硅不被击穿。
D.减小可控硅承受的最大反向电压。
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