模拟电子技术基础试卷

时间:2022-07-01 04:51:17 电子技术/半导体/集成电路 我要投稿

模拟电子技术基础试卷

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模拟电子技术基础试卷

  一、填空(18分)

  1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。

  2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。

  3.差分放大电路,若两个输入信号uI1uI2,则输出电压,uO 0 ;若u I1=100V,u I 2=80V则差模输入电压uId=20V;共模输入电压uIc=90 V。

  4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

  5.若三级放大电路中Au1Au230dB,Au320dB,则其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍。

  6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC= 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。

  7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V。

  二、选择正确答案填空(20分)

  1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( A )。

  A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管

  C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管

  2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。

  A.P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管

  C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管

  3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。

  A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大

  4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低,应( D )。

  A.减小C,减小Ri B. 减小C,增大Ri

  C. 增大C,减小 Ri D. 增大C,增大 Ri

  5.如图所示复合管,已知V1的1 = 30,V2的2 = 50,则复合后的约为( A )。

  A.1500 B.80 C.50 D.30

  6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( D )。

  A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路

  C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路

  7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。

  A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器

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